BSZ096N10LS5ATMA1 vs BSZ065N06LS5ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSZ096N10LS5ATMA1 제조: Infineon 및 BSZ065N06LS5ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSZ065N06LS5ATMA1 BSZ065N06LS5ATMA1 - 60V 65A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

BSZ065N06LS5ATMA1 - 60V 65A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

BSZ065N06LS5ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSZ096N10LS5ATMA1 BSZ065N06LS5ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.94 $0.62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS max) 100 V —
Gate-Source Voltage (VGS max) 20 V (typical) —
Continuous Drain Current (ID, TC=25 °C) 40 A —
Maximum Silicon Drain Current (ID max) 62 A —
Pulse Drain Current (ID,pulse) 160 A —
On-Resistance RDS(on) max 9.6 mΩ at VGS=10 V —
Total Power Dissipation (Ptot, TC=25 °C) 69 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Logic-level (low single-volt range) —
Diode Continuous Forward Current (IS) 40 A (TC=25 °C) —
Diode Forward Voltage (VSD) 0.85 V typ, 1.2 V max at IF=20 A —
패키지 PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -55 °C to +150 °C (junction) -55°C to +150°C
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET OptiMOS™ 5 logic-level
Gate Drive Logic-level compatible —
ESD Protection Yes (gate-integrated) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Packaging Code ATMA1 (tape and reel) —
Series — OptiMOS™ 5
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) Max — 65 A
Drain Current @ Tc (ID, Tc=25°C) — 40 A
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 6.5 mΩ
Power Dissipation (PD) Max — 46 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.3 V
Total Gate Charge (Qg) — 13 nC @ VGS=4.5 V
Input Capacitance (Ciss) — 1.8 nF

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