BSZ130N03LSGATMA1 vs BSC023N08NS5SCATMA1 비교
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Infineon
BSC023N08NS5SCATMA1 - 80V, 2.3mΩ OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon
BSC023N08NS5SCATMA1 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | BSZ130N03LSGATMA1 | BSC023N08NS5SCATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.41 | $1.05 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 25V / 30V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta=25 C) | 10 A | — |
| 연속 드레인 전류 (TC=25°C) | 35 A | — |
| On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V | 13 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA | 2.2 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 25 W | — |
| 패키지 | PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm) | PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | -55 C to +150 C (junction) | — |
| MSL 레벨 | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| Qualification | Industrial / Commercial (non-automotive) | — |
| Part Number | — | BSC023N08NS5SCATMA1 |
| Technology | — | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 202 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 188 W |
| On-State Resistance RDS(on) typ. | — | 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. | — | 3.8 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 98 nC at VGS=10 V |
| Input Capacitance Ciss | — | 6.8 nF |
| Output Capacitance Coss | — | 74 pF |
| Thermal Resistance RthJC | — | 0.72 K/W |
| 동작 접합 온도 | — | -55 °C to +175 °C |