BTS441RGATMA1 vs IPD30N06S215ATMA2 비교

다음의 상세 나란히 비교: BTS441RGATMA1 제조: Infineon 및 IPD30N06S215ATMA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IPD30N06S215ATMA2 IPD30N06S215ATMA2 - 55V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N06S215ATMA2 - 55V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N06S215ATMA2 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BTS441RGATMA1 IPD30N06S215ATMA2
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.21 $0.36
Manufacturer Infineon Technologies AG Infineon Technologies
Part Number BTS441RGATMA1 —
Switch Type 1:1 N-Channel High-Side —
출력 수 1 —
Continuous Load Current 17 A —
토폴로지 Smart High-Side Switch —
Input Type CMOS-compatible, ground referenced —
Diagnostics Yes (fault feedback) —
Technology Smart SIPMOS (N-channel vertical FET + charge pump) —
패키지 PG-TO263-5-2 (TO-263-5) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 5 —
Operating Voltage Range [DATA_NEEDED: Vbb range, e.g. 6V-42V] —
On-State Resistance (Rds(on)) [DATA_NEEDED: Rds(on) at 25 C] —
Over-Current Protection Yes (integrated) —
Thermal Protection Yes (overtemperature shutdown) —
Over-Voltage Protection Yes (inductive load clamping) —
Automotive Qualified Yes (AEC-Q100 automotive grade) —
RoHS 상태 Compliant —
Tape and Reel Quantity 1000 (per reel) —
Part Family — OptiMOS Power MOSFET
트랜지스터 유형 — N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 30 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 136 W
패키지 / 케이스 — PG-TO252-3-11 (DPAK) - 3-Pin (2+Tab)
동작 온도 — -55 C to +175 C (junction)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
MSL 레벨 — MSL1 (up to 260 C peak reflow)
Avalanche Tested — 100% avalanche tested
Lead-Free / RoHS — Green package (lead free), RoHS compliant
Gate Threshold Type — Logic-level compatible
Packing — Tape & Reel (T/R)

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청