CY14B101KA-ZS45XI vs CY14B101KA-ZS25XI 비교
다음의 상세 나란히 비교: CY14B101KA-ZS45XI 제조: Infineon 및 CY14B101KA-ZS25XI 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | CY14B101KA-ZS45XI | CY14B101KA-ZS25XI |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.40 | $5.70 |
| 메모리 유형 | nvSRAM (nonvolatile SRAM) with RTC | nvSRAM (Non-Volatile SRAM) with RTC |
| Density | 1 Mbit (1049 kbits) | 1 Mbit (1024 kbit) |
| 메모리 구성 | 128K x 8 | 128K x 8 |
| Access Time | 45 ns | 25 ns |
| 공급 전압 | 3 V (2.7 V to 3.6 V range class) | 2.7 V to 3.6 V (nominal 3 V) |
| 인터페이스 | Parallel (SRAM-compatible) | Parallel |
| Data Retention | 20 years | — |
| Real-Time Clock | Yes, integrated with backup | — |
| Technology | CMOS with QuantumTrap nonvolatile elements | QuantumTrap non-volatile elements |
| 패키지 | 44-pin TSOP II | 44-TSOP II |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | -40C to +85C (industrial, XI suffix) | -40C to +85C (industrial) |
| RoHS 상태 | Compliant | RoHS compliant (per package marking ZS25XI) |
| Package Standard | MO-119, SOIC-family TSOP II outline | — |
| Endurance (SRAM reads/writes) | Unlimited | — |
| Nonvolatile Store Endurance | [DATA_NEEDED: store endurance cycles] | — |
| Active Supply Current | [DATA_NEEDED: ICC active] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: ISB standby] | — |
| Store Cycles | — | [DATA_NEEDED: store cycle endurance] |
| SRAM Read/Write Endurance | — | Unlimited |
| RTC | — | Yes, with alarm and external 32.768 kHz crystal |
| Automatic STORE | — | Yes, on power fail via VCAP |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |