CY14V104LA-BA25XI vs CY14V104LA-BA25XIT 비교

다음의 상세 나란히 비교: CY14V104LA-BA25XI 제조: Infineon 및 CY14V104LA-BA25XIT 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
CY14V104LA-BA25XI CY14V104LA-BA25XI - 4Mbit nvSRAM 25ns FBGA-48 | Infineon

CY14V104LA-BA25XI - 4Mbit nvSRAM 25ns FBGA-48 | Infineon

CY14V104LA-BA25XI ✓ 활성
Infineon
CY14V104LA-BA25XIT CY14V104LA-BA25XIT - 4Mb nvSRAM 25ns 48-FBGA | Infineon

CY14V104LA-BA25XIT - 4Mb nvSRAM 25ns 48-FBGA | Infineon

CY14V104LA-BA25XIT ✓ 활성

사양 비교

파라미터 CY14V104LA-BA25XI CY14V104LA-BA25XIT
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.72 $3.36
메모리 유형 nvSRAM (Non-Volatile SRAM) nvSRAM (non-volatile SRAM)
메모리 크기 4 Mbit 4 Mbit
메모리 구성 512K x 8 / 256K x 16 512K x 8
인터페이스 Parallel Parallel
Access Time 25 ns 25 ns
공급 전압 3 V (typical 3.3 V) —
동작 온도 -40C to +85C —
STORE Cycle Endurance 1,000,000 cycles minimum —
Data Retention 20 years 20 years
SRAM Read/Write Endurance Unlimited (infinite SRAM cycles) —
Address Bus (x8 mode) A0 to A18 —
Address Bus (x16 mode) A0 to A17 with BHE/BLE byte enables —
Non-Volatile Functions Automatic STORE on power-down, RECALL on power-up, software STORE/RECALL, HSB pin —
패키지 48-FBGA (6 x 10 mm, 1.20 mm height) 48-FBGA (6x10 mm), TFBGA
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant Compliant
Grade Industrial —
Core Supply Voltage (VCC) — 3.0 V to 3.6 V
I/O Supply Voltage (VCCQ) — 1.65 V to 1.95 V
STORE Cycles — 1 million
Read/Write/RECALL Cycles — Infinite
AutoStore — Yes (external VCAP 61 uF to 180 uF)
Non-volatile Technology — QuantumTrap
Temperature Grade — Industrial

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