DS2431G+U vs DS28EC20+ 비교

다음의 상세 나란히 비교: DS2431G+U 제조: Analog Devices 및 DS28EC20+ 제조: Analog Devices. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Analog Devices
DS28EC20+ DS28EC20+ - 20Kb 1-Wire EEPROM, TO-92-3 | Analog Devices

DS28EC20+ - 20Kb 1-Wire EEPROM, TO-92-3 | Analog Devices

DS28EC20+ ✓ 활성

사양 비교

파라미터 DS2431G+U DS28EC20+
브랜드 Analog Devices Analog Devices
카테고리 Memory ICs EEPROM
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.45 $2.05
메모리 유형 EEPROM (Non-Volatile) Non-Volatile EEPROM (1-Wire)
메모리 크기 1 Kbit (1024 bits) 20 Kbit (20480 bit)
Memory Organization 4 pages x 256 bits (32 bytes) 80 pages × 256 bits + 1 control page
인터페이스 1-Wire® (single-contact DQ + GND) 1-Wire (single-contact serial)
Write Cycle Time 2 µs (scratchpad write) —
Scratchpad Size 8 bytes (64 bits) 32 bytes
Unique ROM ID 64-bit (8-byte family code + 6-byte serial + CRC) —
Write Protection Per-page, selectable; EPROM-emulation mode (1→0 only) —
패키지 2-SFN (6.0 mm x 6.0 mm leadless) TO-92-3 (through-hole)
동작 온도 -40 °C to +85 °C -40 °C to +85 °C
Storage Temperature -55 °C to +125 °C (per datasheet Absolute Maximum Ratings) —
Supply (Parasite Power via DQ) 2.8 V to 5.25 V (pull-up VPU) —
Write Endurance [DATA_NEEDED: end-cycle write cycles] 200k cycles per page
Data Retention [DATA_NEEDED: years] >40 years
ESD Protection [DATA_NEEDED: HBM/CDM rating] —
실장 유형 Surface Mount Through Hole
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Standard Speed (max) — 15.4 kbps
Overdrive Speed (max) — 90 kbps
Operating VPUP Range — 2.8 V to 5.25 V (overdrive requires 4 V to 5.25 V)
Programming Time (tPROG) — 10 ms (max)
Lead-Free Status — Yes
Unique 64-bit ROM ID — Yes (factory-lasered)
Backward Compatibility — DS2433 (4 Kbit 1-Wire EEPROM)

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