EP20K200CB356C8ES vs EP20K200CB356C9 비교
다음의 상세 나란히 비교: EP20K200CB356C8ES 제조: Intel 및 EP20K200CB356C9 제조: Intel. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | EP20K200CB356C8ES | EP20K200CB356C9 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Intel | Intel |
| 카테고리 | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| 수명 주기 상태 | NRND | NRND |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $178.00 | $69.95 |
| Series | APEX 20KC | — |
| Family | APEX 20KC MultiCore Interconnect FPGA | APEX 20KC |
| System Gates | 200,000 | — |
| Logic Elements / Cells | 8,320 | 8,320 |
| User I/O Count | 271 | — |
| Core Voltage | 1.8 V | 1.8 V |
| Process Technology | 0.15 µm | 0.15 μm CMOS |
| Operating Frequency (max) | 301.21 MHz | — |
| Package Type | 356-LBGA (Ball Grid Array) | 356-LBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| 동작 온도 | 0°C to +85°C (Commercial) | 0 °C to +85 °C (commercial, C-grade) |
| Speed Grade | C8 (8 ns) | — |
| 메모리 유형 | SRAM-based, Embedded System Blocks (ESBs) | — |
| Programming Interface | JTAG / ByteBlaster / USB-Blaster | — |
| Design Software | Quartus II / MAX+PLUS II | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: rohs status] | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Embedded Memory | Yes (ESBs) | Embedded System Blocks (ESB) - dual-port RAM, ROM, CAM |
| Total RAM Bits | — | 106,496 |
| Typical Gate Count | — | 200,000 |
| Number of User I/O | — | 271 |
| Number of Logic Gates | — | [DATA_NEEDED: total usable gates] |
| Maximum Internal Frequency | — | 250 MHz |
| 핀 수 | — | 356 |
| Configuration Method | — | SRAM-based, JTAG / passive serial / passive parallel |
| 수명 주기 상태 | — | Not Recommended for New Designs (NRND) |