EP2SGX30CF780I4N vs EP2SGX30CF780C7 비교
다음의 상세 나란히 비교: EP2SGX30CF780I4N 제조: Intel 및 EP2SGX30CF780C7 제조: Intel. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | EP2SGX30CF780I4N | EP2SGX30CF780C7 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Intel | Intel |
| 카테고리 | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| 수명 주기 상태 | NRND | NRND |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $138.00 | $171.00 |
| Family | Stratix II GX | — |
| Logic Elements | 33,880 | 33,000 |
| Logic Cells / CLBs | 33,880 | — |
| Process Technology | 90 nm CMOS | 90 nm |
| Core Supply Voltage | 1.15 V to 1.25 V | — |
| Maximum Internal Frequency | 622.08 MHz | — |
| Embedded Transceivers | 4 channels (up to 3.125 Gbps at C4) | — |
| 패키지 | 780-ball FC-FBGA, 29 x 29 mm, 1.0 mm pitch | 780-ball FineLine BGA (CF780) |
| Pin / Terminal Count | 780 | — |
| 동작 온도 | -40C to +85C (Industrial) | 0C to +85C (commercial) |
| 실장 유형 | Surface Mount (BGA) | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | Compliant (lead-free Fineline BGA) |
| 메모리 유형 | Embedded SRAM, external DDR/DDR2/QDR support | — |
| Configuration | JTAG / passive serial / fast passive parallel | — |
| Series | — | Stratix II GX |
| Embedded Memory | — | 1.9 Mbits |
| DSP Blocks (18x18 multipliers) | — | 256 |
| Maximum User I/O | — | 361 |
| Multi-Gigabit Transceivers | — | 4 channels |
| Transceiver Data Rate | — | 600 Mbps to 3.125 Gbps |
| PLLs | — | 4 |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Ball Pitch | — | 1.0 mm |
| Speed Grade | — | C7 (fastest commercial) |
| Configuration Modes | — | Passive Serial, Fast Passive Parallel, Passive Parallel Asynchronous, JTAG |