EP3SE260F1517C4N vs EP3SE260F1517I3 비교
다음의 상세 나란히 비교: EP3SE260F1517C4N 제조: Intel 및 EP3SE260F1517I3 제조: Intel. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | EP3SE260F1517C4N | EP3SE260F1517I3 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Intel | Intel |
| 카테고리 | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| 수명 주기 상태 | NRND | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $7,800.00 | $10,500.00 |
| Series | Stratix® III E | — |
| Family | Field-Programmable Gate Array (FPGA) | Stratix III E |
| Logic Elements | 255,000 | 255,000 |
| Embedded Memory | 16,672,768 bits | — |
| Logic Array Blocks (LABs) | 10,200 | 10,200 |
| Maximum User I/Os | 976 | 976 |
| 패키지 | 1517-BBGA, FCBGA | 1517-BBGA, FCBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | 0°C to 85°C | — |
| Core Voltage | 0.9 V | 1.0 V typical |
| Process Node | 65 nm | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Lead Free | [DATA_NEEDED: lead-free status] | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Maximum Transceiver Data Rate | 12.5 Gbps | — |
| Embedded Memory (bits) | — | 16,672,768 |
| Operating Temperature Grade | — | Industrial |
| Junction Temperature Range | — | -40C to +125C |
| Process Technology | — | 65 nm CMOS |
| Maximum Core Frequency | — | 717 MHz |
| I/O Standards Supported | — | LVDS, LVTTL, LVCMOS, HSTL, SSTL |
| Configuration | — | SRAM-based, volatile (requires external configuration device) |