EP4CE75F29I7 vs EP4CE75F29C7 비교
다음의 상세 나란히 비교: EP4CE75F29I7 제조: Intel 및 EP4CE75F29C7 제조: Intel. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | EP4CE75F29I7 | EP4CE75F29C7 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Intel | Intel |
| 카테고리 | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $121.30 | $199.96 |
| Series | Cyclone IV E | — |
| Manufacturer | Intel (formerly Altera) | — |
| Logic Elements (LEs) | 75,408 | 75 408 |
| Embedded Memory (bits) | 2,810,880 | — |
| Embedded Memory Blocks | 274 (M9K) | — |
| Embedded 18×18 Multipliers | 200 | — |
| PLLs | 4 | 4 |
| User I/O Count | 426 | — |
| 패키지 | 780-ball FBGA (FineLine BGA) | 780-ball FBGA (F29, 29 mm) |
| 동작 온도 | -40 °C to +100 °C (Industrial) | — |
| Process Node | 60 nm low-power CMOS | — |
| Core Voltage (VCCINT) | 1.0 V / 1.2 V selectable | — |
| Configuration Modes | JTAG, Active Serial (AS), Passive Serial (PS) | — |
| I/O Standards Supported | LVDS, LVTTL, LVCMOS, SSTL, HSTL | — |
| External Memory Interfaces | DDR/DDR2 SDRAM, QDRII SRAM | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | 3 (168 hours) | 3 (per JEDEC J-STD-020) |
| 실장 유형 | Surface Mount (BGA) | Surface Mount (BGA) |
| Family | — | Cyclone IV E |
| Device Type | — | Field Programmable Gate Array (FPGA) |
| Embedded Memory Bits | — | 2 810 880 (4.5 Mbit, M9K blocks) |
| Embedded Multipliers (18 x 18) | — | 274 |
| Maximum User I/O | — | 426 |
| Process Technology | — | 60 nm |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Operating Temperature Grade | — | Commercial (0 C to +85 C) |
| Configuration Method | — | JTAG, Active Serial (AS), Passive Serial (PS) |
| Block Memory Type | — | M9K (9 Kbit blocks) |
| Design Tool | — | Intel Quartus Prime (Lite / Standard / Pro) |