EPF10K100EFC484-3N vs EPF10K100EFC484-1 비교
다음의 상세 나란히 비교: EPF10K100EFC484-3N 제조: Intel 및 EPF10K100EFC484-1 제조: Intel. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | EPF10K100EFC484-3N | EPF10K100EFC484-1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Intel | Intel |
| 카테고리 | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| 수명 주기 상태 | Obsolete | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $142.00 | $142.00 |
| Family | FLEX 10KE | FLEX 10KE |
| Logic Elements / Cells | 4992 | 4,992 |
| Total Gates | 100,000 | 257,000 typical system gates |
| Embedded Memory (EAB) | 49,152 bits (12 EABs) | — |
| Logic Array Blocks (LABs) | 624 | — |
| User I/Os | 338 | 338 |
| Process Technology | 0.22 µm CMOS | 0.42 µm CMOS |
| Core Voltage (VCCINT) | 2.5 V | — |
| I/O Voltage (VCCIO) | MultiVolt (2.5 V / 3.3 V / 5.0 V tolerant per bank) | — |
| Internal Performance | 200 MHz | — |
| Speed Grade | -3 (fastest commercial bin) | — |
| 패키지 | 484-ball FineLine BGA (FC484 / FBGA-484) | 484-FBGA (FineLine BGA, 23×23 mm) |
| Temperature Grade | Commercial (0 °C to +70 °C) | — |
| Configuration Method | SRAM (external EPROM/Flash/JTAG required at power-up) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (N suffix = lead-free) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount (BGA) | Surface Mount (SMT) |
| Number of LABs/CLBs | — | 624 |
| Total RAM Bits | — | 49,152 |
| Embedded Memory (Kbits) | — | 48 (12 EABs) |
| Number of Block RAM (EABs) | — | 12 |
| Operating Supply Voltage (Core) | — | 2.5 V |
| Operating Supply Voltage Range | — | 2.375 V to 2.625 V |
| Propagation Delay | — | 0.6 ns |
| 동작 온도 | — | 0 °C to 70 °C (commercial) |
| Program Memory Type | — | SRAM (volatile) |
| Configuration Interface | — | JTAG (IEEE 1149.1), serial/parallel EPROM |
| PCI Support | — | 3.3 V PCI compliant |
| RoHS 상태 | — | Non-compliant (per Arrow listing) |
| 수명 주기 상태 | — | Obsolete (EOL) |