EPM570M100C5N vs EPM570M100C4N 비교
다음의 상세 나란히 비교: EPM570M100C5N 제조: Intel 및 EPM570M100C4N 제조: Intel. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | EPM570M100C5N | EPM570M100C4N |
|---|---|---|
| 브랜드 | Intel | Intel |
| 카테고리 | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $11.85 | $14.95 |
| Family | MAX II | MAX II |
| Series | EPM570 | — |
| Device Type | CPLD (Complex Programmable Logic Device) | CPLD (Complex Programmable Logic Device) |
| Macrocell Count | 440 | — |
| Logic Elements | 570 | — |
| User I/Os | 76 | 76 |
| Number of Logic Blocks / Array Blocks | [DATA_NEEDED: number of LABs] | — |
| 핀 수 | 100 | — |
| 패키지 | 100-MBGA (FineLine BGA, 6 x 6 mm, 0.5 mm pitch) | 100-pin MBGA (Micro FineLine BGA) |
| Maximum Frequency (fMAX) | 201.1 MHz | — |
| Pin-to-Pin Propagation Delay | 5.4 ns | — |
| Operating Supply Voltage (Core) | 2.5 V / 3.3 V | — |
| I/O Voltage Support | 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V (MultiVolt) | — |
| On-Chip User Flash Memory (UFM) | 8 Kbits | — |
| Process Technology | 0.18 um, 6-layer-metal flash | 0.18 µm 6-layer-metal flash |
| Programming Interface | JTAG (IEEE 1149.1) and ISP | JTAG (IEEE 1149.1) ISP |
| 동작 온도 범위 | 0 C to +85 C (Commercial) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount (BGA) | — |
| RoHS 상태 | Lead-Free / Compliant | Compliant |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Macrocells | — | 440 |
| Logic Elements (LEs) | — | 570 |
| Pin-to-Pin Logic Delay (tPD) | — | 5.4 ns |
| User Flash Memory (UFM) | — | 8 Kbits |
| 동작 온도 | — | 0 °C to +85 °C (commercial, C suffix) |
| Supply Voltage (Core) | — | 3.3 V (typical for MAX II) |
| MultiVolt I/O Support | — | 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V |
| Configuration Memory | — | Non-volatile flash (instant-on) |