ESD5481MUT3G vs TPD2E001DRLR 비교

다음의 상세 나란히 비교: ESD5481MUT3G 제조: onsemi 및 TPD2E001DRLR 제조: Texas Instruments. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Texas Instruments
TPD2E001DRLR TPD2E001DRLR - 2Ch ESD Protection Array SOT-5 | Texas Instruments

TPD2E001DRLR - 2Ch ESD Protection Array SOT-5 | Texas Instruments

TPD2E001DRLR ✓ 활성

사양 비교

파라미터 ESD5481MUT3G TPD2E001DRLR
브랜드 onsemi Texas Instruments
카테고리 Surge Protectors Surge Protectors
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.14 $0.16
Manufacturer onsemi —
Product Type Bidirectional ESD Protection TVS / Zener Diode —
Working Voltage (VRWM) 5 V —
Clamping Voltage (VC) at 2 A (8/20 us) 15 V —
Peak Pulse Current (IPP) 2 A (8/20 us) —
Polarity Bidirectional —
패키지 X3-DFN-2 (0.6 x 0.3 mm) SOT-5 (DRL) 1.6 x 1.6 mm
핀 수 2 —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
ESD Protection Best-in-class per onsemi datasheet —
Response Time Sub-nanosecond (typical of TVS avalanche) —
Application Portable consumer electronics, cellular phones, MP3 players, digital cameras —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +85C
Leakage Current [DATA_NEEDED: leakage current at VRWM] —
채널 수 — 2
Working Voltage (Vrwm) — 5.5 V
Typical Clamping Voltage — 16 V
Channel Capacitance (typ) — 1.5 pF
Dynamic Resistance (Rdyn) — 1.2 ohm
ESD Rating (HBM) — ±15 kV
ESD Rating (IEC 61000-4-2, contact) — ±8 kV
IEC 61000-4-2 Level — Level 4
Leakage Current (max) — [DATA_NEEDED: leakage current at Vrwm]
Breakdown Voltage (Vbr) — [DATA_NEEDED: Vbr min/typ/max]
Peak Pulse Current (Ipp) — [DATA_NEEDED: peak pulse current]
MSL 레벨 — Level 1

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