H58G56AK6PX032N vs H58G46AK6PX033N 비교
다음의 상세 나란히 비교: H58G56AK6PX032N 제조: SK hynix 및 H58G46AK6PX033N 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H58G56AK6PX032N | H58G46AK6PX033N |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $11.35 | $0.00 |
| 메모리 유형 | Volatile | LPDDR5 SDRAM |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | LPDDR5 SDRAM | — |
| 메모리 크기 | 4 GB (32 Gb) | — |
| 메모리 구성 | 512M x 64 (x16 device configuration) | x16 |
| 데이터 속도 | 6400 Mbps per pin | 6400 Mbps/pin |
| Supply Voltage (VDD2 / VDDQ / VDD1) | 1.8 V / 1.05 V / 0.5 V | — |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| 패키지 | 315-FBGA | 315-ball FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Grade | Automotive | Automotive |
| Product Status | Active | — |
| Packaging | Tray | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: Clock Frequency] | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Density | — | 16 Gb (2 GB) |
| Interface Standard | — | JEDEC LPDDR5 |
| VDD2 Supply Voltage | — | 1.8 V |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.05 V |
| VDD1 (Core) Supply Voltage | — | 0.5 V |
| Application Domain | — | Mobile, automotive, industrial controllers, computing modules |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |