H5AN4G8NBJR-VKIR vs H5AN4G8NBJR-VKI 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN4G8NBJR-VKIR 제조: SK hynix 및 H5AN4G8NBJR-VKI 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN4G8NBJR-VKIR | H5AN4G8NBJR-VKI |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.98 | $1.98 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| 메모리 구성 | 512M x 8 | 512M x 8 |
| 데이터 속도 | 2666 Mbps per pin | 2666 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| 패키지 | 78-ball FBGA | FBGA-78 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature (Industrial) | -40C to +85C (case) | — |
| Extended Temperature Range | +85C to +95C (case, per datasheet conditions) | — |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Product Family | H5AN4G4/6/8NBJR series | — |
| Speed Grade Code | -VKI | — |
| Packing Suffix | R (Tape & Reel) | — |
| VPP Supply | [DATA_NEEDED: VPP supply voltage] | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh interval specification] | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| I/O Voltage | — | 1.2 V (SSTL12) |
| Speed Grade | — | V (2666) |
| Temperature Grade | — | Industrial (I suffix) |
| Architecture | — | CMOS, 8n prefetch, bank groups |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| DBI Support | — | Yes (Data Bus Inversion / DM) |
| 동작 온도 | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| RoHS 상태 | — | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |