H5AN4G8NBJR-VKIR vs H5AN4G8NBJR-VKI Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN4G8NBJR-VKIR от SK hynix и H5AN4G8NBJR-VKI от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKIR H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR ✓ Активен
SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN4G8NBJR-VKIR H5AN4G8NBJR-VKI
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,98 $1,98
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
Организация памяти 512M x 8 512M x 8
Скорость передачи данных 2666 Mbps per pin 2666 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Корпус 78-ball FBGA FBGA-78
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature (Industrial) -40C to +85C (case) —
Extended Temperature Range +85C to +95C (case, per datasheet conditions) —
Technology CMOS DRAM —
Product Family H5AN4G4/6/8NBJR series —
Speed Grade Code -VKI —
Packing Suffix R (Tape & Reel) —
VPP Supply [DATA_NEEDED: VPP supply voltage] —
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh interval specification] [DATA_NEEDED: Refresh specification]
Напряжение питания — 1.2 V
I/O Voltage — 1.2 V (SSTL12)
Speed Grade — V (2666)
Temperature Grade — Industrial (I suffix)
Architecture — CMOS, 8n prefetch, bank groups
Termination — On-Die Termination (ODT)
DBI Support — Yes (Data Bus Inversion / DM)
Рабочая температура — [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Статус RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS Status]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену