H5AN8G4NAFR-RDC vs MT40A1G8AG-062E 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G4NAFR-RDC 제조: SK hynix 및 MT40A1G8AG-062E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5AN8G4NAFR-RDC H5AN8G4NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x4 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x4 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-RDC ✓ 활성
Micron Technology
MT40A1G8AG-062E MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5AN8G4NAFR-RDC MT40A1G8AG-062E
브랜드 SK hynix Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.30 $3.10
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8Gb —
메모리 구성 1G x 4 1G x 8
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
패키지 FBGA-78 78-FBGA (7.5 x 11 mm)
Data Rate Class [DATA_NEEDED: exact -RDC speed bin MT/s] —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CL for -RDC bin] —
인터페이스 Synchronous, differential clock CK_t/CK_c Parallel
Bank Architecture DDR4 bank-group architecture —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount (BGA)
RoHS 상태 Compliant (Lead-Free) [DATA_NEEDED: RoHS status]
할로겐 프리 Yes —
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh Self-refresh and auto-refresh per DDR4 SDRAM standard —
Manufacturer SK hynix —
Datasheet Revision Rev. 1.2 / Jul. 2017 —
메모리 크기 — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate)
Clock Cycle Time — 19 ns class (-062E speed grade)
Temperature Grade — Automotive (AUT)
Access Time (CAS Latency class) — DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet)
Bank Group Architecture — Yes (DDR4 bank groups)
Termination — On-Die Termination (ODT)
CA Parity — Supported (DDR4 command/address parity)
Packaging Option — Tape and Reel (TR / :R suffix)
동작 온도 범위 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh rate]

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