H5AN8G4NCJR-XXC vs IS43TR16256AL-125KBL 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G4NCJR-xxC 제조: SK hynix 및 IS43TR16256AL-125KBL 제조: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5AN8G4NCJR-xxC H5AN8G4NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G4NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G4NCJR-xxC ✓ 활성
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5AN8G4NCJR-xxC IS43TR16256AL-125KBL
브랜드 SK hynix ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $8.50 $5.60
메모리 유형 DDR4 SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 8Gb —
메모리 구성 x4 (H5AN8G4NCJR) —
공급 전압 1.2V 1.35V (backward compatible to 1.5V)
데이터 속도 [DATA_NEEDED: speed grade from xxC suffix] 1600 Mbps
패키지 FBGA 96-TWBGA (9x13mm)
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0°C ~ 95°C
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
할로겐 프리 Yes —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Prefetch 8-bit —
Burst Length 8 (BL8) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination Yes —
메모리 크기 — 4Gbit (256M x 16)
인터페이스 — Parallel
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 20 ns
Memory Format — DRAM
Technology — SDRAM - DDR3L
RoHS 상태 — Compliant
Number of Terminals — 96

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