H5AN8G6NCJR-RDC vs H5ANAG8NBJR-RDC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G6NCJR-RDC 제조: SK hynix 및 H5ANAG8NBJR-RDC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN8G6NCJR-RDC | H5ANAG8NBJR-RDC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $19.69 | $3.55 |
| Memory Density | 8 Gb (8589934592 bit) | — |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 2G x 8 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Technology | CMOS | — |
| Package Code | TFBGA (PBGA96) | — |
| Package Shape | Rectangular | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | OTHER | — |
| Data Rate Family | [DATA_NEEDED: specific speed grade Mbps] | — |
| Supply Voltage Class | [DATA_NEEDED: nominal VDD per datasheet speed bin] | — |
| 동작 온도 범위 | [DATA_NEEDED: min/max C per -RDC bin] | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS 상태 | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant, per H5AN8G6 family datasheet) | Compliant (lead-free PBGA per family product data) |
| Density | — | 16 Gbit |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| 인터페이스 | — | SSTL12 |
| Speed Grade (suffix R) | — | DDR4-2666 class |
| 패키지 | — | 78-ball FBGA |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms class per family datasheet) |
| Bank Groups | — | 4 (per 16Gb DDR4 family datasheet) |
| Data Strobe | — | DQS with read/write training |
| Data Bus Inversion | — | Supported (DBI) |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| 동작 온도 | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| 수명 주기 상태 | — | Active |