H5AN8G6NCJR-XXC vs MT41K256M16HA-125:E 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G6NCJR-xxC 제조: SK hynix 및 MT41K256M16HA-125:E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5AN8G6NCJR-xxC H5AN8G6NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-xxC ✓ 활성
Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5AN8G6NCJR-xxC MT41K256M16HA-125:E
브랜드 SK hynix Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $6.50 $3.10
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR3L SDRAM
Density 8 Gb 4 Gbit
메모리 구성 512M x 16 256M x 16
데이터 속도 2666 Mbps (VKC speed grade) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.35 V (DDR3L)
VPP Supply 2.5 V —
Operating Temperature (TC) 0°C to 95°C —
패키지 96-ball FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
Number of Banks 8 —
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
On-Die Termination (ODT) Supported —
Self-Refresh Temperature-compensated (TCSR) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Clock Frequency — 800 MHz
CAS 레이턴시 — 13.75 ns
Supply Voltage (VDDQ) — 1.35 V
핀 수 — 96
동작 온도 범위 — 0°C to +95°C (TC)
RoHS 상태 — Compliant
데이터 버스 폭 — 16 bits
Logic Family — CMOS

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