H5AN8G6NCJR-XXC vs MT41K256M16HA-125:E 对比

详细并排对比 H5AN8G6NCJR-xxC 出自 SK hynix 和 MT41K256M16HA-125:E 出自 Micron Technology。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

SK hynix
H5AN8G6NCJR-xxC H5AN8G6NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-xxC ✓ 量产中
Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E ✓ 量产中

规格对比

参数 H5AN8G6NCJR-xxC MT41K256M16HA-125:E
品牌 SK hynix Micron Technology
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $6.50 $3.10
存储器类型 DDR4 SDRAM DDR3L SDRAM
Density 8 Gb 4 Gbit
存储组织 512M x 16 256M x 16
数据速率 2666 Mbps (VKC speed grade) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.35 V (DDR3L)
VPP Supply 2.5 V —
Operating Temperature (TC) 0°C to 95°C —
封装 96-ball FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
Number of Banks 8 —
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
On-Die Termination (ODT) Supported —
Self-Refresh Temperature-compensated (TCSR) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
安装类型 Surface Mount Surface Mount
Clock Frequency — 800 MHz
CAS 延迟 — 13.75 ns
Supply Voltage (VDDQ) — 1.35 V
引脚数 — 96
工作温度范围 — 0°C to +95°C (TC)
RoHS 状态 — Compliant
数据总线宽度 — 16 bits
Logic Family — CMOS

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