H5AN8G8NCJR-RDC vs H5AN8G8NCJR-VKI 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G8NCJR-RDC 제조: SK hynix 및 H5AN8G8NCJR-VKI 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC ✓ 활성
SK hynix
H5AN8G8NCJR-VKI H5AN8G8NCJR-VKI - DDR4 8Gb 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKI - DDR4 8Gb 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKI ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-VKI
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.70 $4.85
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb (1 GB) —
메모리 구성 x8 —
데이터 속도 up to 2666 Mbps 2666 Mbps
공급 전압 1.2 V (VDD) 1.2 V
인터페이스 DDR4 (JEDEC standard) Parallel
Bank Architecture 4 bank groups x 4 banks —
Burst Length BL8 —
패키지 78-ball FBGA FBGA-78
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
CAS 레이턴시 [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] —
Generation C-die family (NCJR) —
Lead Free Yes —
할로겐 프리 Yes —
RoHS 상태 Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
메모리 크기 — 8 Gb
Memory Organization — 1G x8
Memory Format — DRAM
Volatile — Yes
Grade — Industrial (I suffix)
Technology — CMOS
Product Family — H5AN8G8NCJR-xxC/xI DDR4 SDRAM
Packaging — Tray
Product Status — Active

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