H5ANAG6NBJR-RDC vs H5ANAG6NCR-PBC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG6NBJR-RDC 제조: SK hynix 및 H5ANAG6NCR-PBC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5ANAG6NBJR-RDC | H5ANAG6NCR-PBC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $9.60 | $70.20 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Organization | 16Gb x16 | — |
| Density | 16 Gb | 16Gb (2GB) |
| 데이터 속도 | 2666 Mbps (speed grade -RDC) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| 인터페이스 | Synchronous, double data rate | — |
| Clocking | Fully synchronous to both clock edges | — |
| 패키지 | FBGA (Ball Grid Array), surface mount | FBGA-96 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS | — |
| Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Application | Main memory | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | 0C to 85C |
| On-Die Termination (ODT) | Supported (DDR4 feature) | — |
| Bank Group Architecture | DDR4 bank groups (per JEDEC DDR4) | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant |
| 메모리 구성 | — | x16 (1G x 16) |
| 공급 전압 | — | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) |
| Transfer Rate | — | 3200 Mbps (family, per XNCR datasheet; PBC speed grade [DATA_NEEDED: exact speed grade Mbps]) |
| Number of Terminals | — | 96 balls |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Maximum Standby Current | — | [DATA_NEEDED: maximum standby current for PBC speed grade] |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] |