H5ANAG6NCJR-XNC vs H5ANAG6NBJR-VKC 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG6NCJR-XNC 제조: SK hynix 및 H5ANAG6NBJR-VKC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5ANAG6NCJR-XNC H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5ANAG6NCJR-XNC H5ANAG6NBJR-VKC
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $84.97 $15.00
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
메모리 크기 16 Gbit —
Memory Organization 1G x 16 —
데이터 속도 3200 Mbps/pin 2666 Mbps (per family reference, VKC speed code)
Supply Voltage Range 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ) —
인터페이스 Parallel DDR4, SSTL-12
패키지 FBGA-96 FBGA-96 (PBGA96)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Auto Self-Refresh Yes Yes
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes Yes
Data Mask Function Yes Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes Yes
CRC Function Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
Packaging Tray —
RoHS 상태 Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Manufacturer — SK Hynix
Part Number — H5ANAG6NBJR-VKC
Memory Density — 16Gb (2GB)
메모리 구성 — [DATA_NEEDED: x16 organization per datasheet]
공급 전압 — 1.2 V (DDR4 standard)
동작 온도 — -40C to +95C (family grade reference)
Dynamic On-Chip Termination — Yes

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