H5ANAG6NCR-RDC vs H5ANAG8NCR-RDC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG6NCR-RDC 제조: SK hynix 및 H5ANAG8NCR-RDC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5ANAG6NCR-RDC | H5ANAG8NCR-RDC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $72.10 | $1.00 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 16 Gb (2 GB) | — |
| 메모리 구성 | 1G x 16 | 2G x 8 |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps (PC4-25600 class) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| 패키지 | 96-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Package Body | Rectangular, 8 mm width | — |
| Maximum Standby Current | 0.074 A | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Number of Terminals (Balls) | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask (DM) Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh Interval | [DATA_NEEDED: Refresh Interval] | — |
| Density | — | 16 Gbit |
| 인터페이스 | — | DDR4 (fully synchronous, both clock edges) |
| Family | — | H5ANAG8N 16Gb DDR4 |
| Application Segment | — | Main memory (server, networking, industrial, embedded) |
| Max Data Rate | — | [DATA_NEEDED: speed bin data rate in MT/s] |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank/bank group count] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh specification] |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |