H5ANAG8NBJR-RDC vs H5ANAG4NBJR-RDC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG8NBJR-RDC 제조: SK hynix 및 H5ANAG4NBJR-RDC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5ANAG8NBJR-RDC | H5ANAG4NBJR-RDC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.55 | $5.75 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gb (2 GB) |
| 메모리 구성 | 2G x 8 | 4G x 4 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| 인터페이스 | SSTL12 | SSTL-12 |
| Speed Grade (suffix R) | DDR4-2666 class | — |
| 패키지 | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms class per family datasheet) | Self refresh, 8n refresh [DATA_NEEDED: 1x/2x/4x refresh option] |
| Bank Groups | 4 (per 16Gb DDR4 family datasheet) | — |
| Data Strobe | DQS with read/write training | — |
| Data Bus Inversion | Supported (DBI) | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| RoHS 상태 | Compliant (lead-free PBGA per family product data) | Compliant (lead-free / halogen-free per RDC suffix) |
| 수명 주기 상태 | Active | — |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| 데이터 속도 | — | 2666 MT/s (speed bin NBJR, [DATA_NEEDED: exact MT/s confirmation from datasheet]) |
| Prefetch | — | 16n (bank group architecture) |
| 특징 | — | Bank groups, CA parity, data CRC, ODT, DLL-off mode |
| Operating Temperature (case) | — | -40C to +85C (industrial; extended to 95C per datasheet conditions) |
| Temperature Grade Suffix | — | RDC - industrial temperature, lead-free, halogen-free |
| VDDQ | — | 1.2 V |
| Product Family | — | SK hynix computing 16Gb DDR4 H5ANAG4(8_6)NBJR series |