H5ANAG8NCMR-VKC vs H5ANAG8NCR-PBC 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG8NCMR-VKC 제조: SK hynix 및 H5ANAG8NCR-PBC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5ANAG8NCMR-VKC H5ANAG8NCMR-VKC - 16Gb DDR4-2666 x8 DRAM FBGA | SK hynix

H5ANAG8NCMR-VKC - 16Gb DDR4-2666 x8 DRAM FBGA | SK hynix

H5ANAG8NCMR-VKC ✓ 활성
SK hynix
H5ANAG8NCR-PBC H5ANAG8NCR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM | SK hynix

H5ANAG8NCR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM | SK hynix

H5ANAG8NCR-PBC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5ANAG8NCMR-VKC H5ANAG8NCR-PBC
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs DRAM
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $8.05 $9.50
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
메모리 크기 16 Gb —
Memory Organization 2G x 8 —
데이터 속도 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
패키지 FBGA-78 FBGA-78 (approximately 7.5 x 11 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Speed Grade VK (per SK hynix speed-bin suffix) —
Power Class Normal Power —
Bank Groups 4 —
Banks Total 16 —
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CAS 레이턴시 [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin] [DATA_NEEDED: CAS latency]
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per SK hynix family datasheet)
Packaging [DATA_NEEDED: standard packing quantity] —
Manufacturer Process CMOS DRAM —
Memory Density — 16Gb (2 GB)
메모리 구성 — x8
공급 전압 — 1.2 V (typical, DDR4 class)
인터페이스 유형 — Parallel, DDR4 (Double Data Rate 4)
Speed Grade Code — -PBC (SK hynix speed/temperature code; exact Mbps bin [DATA_NEEDED: speed bin value])
Clock Frequency — [DATA_NEEDED: clock frequency]
Bank Group Architecture — Yes (DDR4 bank groups)
On-Die Termination (ODT) — Yes (DDR4 standard feature)
Self-Refresh — Yes (DDR4 standard feature)
Process Technology — CMOS
Application Class — Main memory (server, industrial, networking, PC)

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