H5ANAG8NCR-PBC vs H5ANAG8NBJR-PBC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG8NCR-PBC 제조: SK hynix 및 H5ANAG8NBJR-PBC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5ANAG8NCR-PBC | H5ANAG8NBJR-PBC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | DRAM | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $9.50 | $31.50 |
| Memory Density | 16Gb (2 GB) | — |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 구성 | x8 | x8 |
| 공급 전압 | 1.2 V (typical, DDR4 class) | — |
| 인터페이스 유형 | Parallel, DDR4 (Double Data Rate 4) | Parallel, SSTL12 |
| 패키지 | FBGA-78 (approximately 7.5 x 11 mm) | FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade Code | -PBC (SK hynix speed/temperature code; exact Mbps bin [DATA_NEEDED: speed bin value]) | — |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: clock frequency] | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4 bank groups) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes (DDR4 standard feature) | — |
| Self-Refresh | Yes (DDR4 standard feature) | — |
| RoHS 상태 | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per SK hynix family datasheet) | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Hynix family datasheet) |
| Process Technology | CMOS | — |
| Application Class | Main memory (server, industrial, networking, PC) | — |
| Density | — | 16 Gbit (2 GB) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Speed Grade / Data Rate | — | PBC suffix, DDR4-2666 class |
| Bank Architecture | — | 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard) |
| Prefetch | — | 8n |
| CAS Latency (typical bin) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh | — | Self refresh, 1x/2x/4x refresh modes |
| Die Revision | — | BJR |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Standard Package Quantity | — | [DATA_NEEDED: standard quantity] |