H5CG44MEBDX014N vs H5CG48MEBDX018N 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5CG44MEBDX014N 제조: SK hynix 및 H5CG48MEBDX018N 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5CG44MEBDX014N | H5CG48MEBDX018N |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.00 | $1.00 |
| 메모리 유형 | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16Gb (2G x 8) |
| 메모리 구성 | 4G x4 | 2G x 8 |
| 데이터 속도 | 4800 Mbps/pin (DDR5-4800) | [DATA_NEEDED: Data Rate (Mbps)] |
| Clock Frequency | 2400 MHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| 패키지 | 78-ball FBGA | 78-ball FCBGA |
| Die Generation | 1st-gen DDR5 M-die | M-die (family: A-die and M-die variants exist) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 인터페이스 | JEDEC DDR5 | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C (LCSC listing for M-die family part) |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CL at DDR5-4800] | — |
| VDDQ Voltage | [DATA_NEEDED: VDDQ voltage] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh scheme detail] | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Packaging Type | [DATA_NEEDED: tape and reel or tray] | — |
| Bus Width | — | 8 bit |
| 공급 전압 | — | 1.1 V |
| 인터페이스 유형 | — | DDR5 parallel |
| On-Die ECC | — | Yes (DDR5 standard feature) |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Packaging | — | [DATA_NEEDED: Packing Type] |