H5CG46AGBDX017 vs MT53E256M16D1FW-046 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5CG46AGBDX017 제조: SK hynix 및 MT53E256M16D1FW-046 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5CG46AGBDX017 | MT53E256M16D1FW-046 |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $92.10 | $7.20 |
| 메모리 유형 | DDR5 SDRAM | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Density | 16 Gb | 4 Gbit |
| 메모리 구성 | 1G x 16 | 256M x 16 |
| 데이터 속도 | 5600 Mbps/pin | 2133 Mbps/pin (2.133 GHz) |
| Supply Voltage (VDD) | [DATA_NEEDED: VDD nominal, expected 1.1 V per DDR5 JEDEC class] | — |
| 패키지 | FBGA (surface mount) | 200-TFBGA (10 x 14.5 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (BGA soldered) |
| 인터페이스 | DDR5 (Double Data Rate 5) | Parallel |
| On-Die ECC | [DATA_NEEDED: on-die ECC support confirmation] | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Ball Count | [DATA_NEEDED: package ball count] | 200 |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh scheme] | — |
| RoHS 상태 | Compliant (per JLCPCB listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status from datasheet] |
| Generation | DDR5 | — |
| Manufacturer Part Status | In stock at multiple distributors | — |
| Typical Applications | Data storage, firmware boot, embedded logging, industrial controllers, computing modules | — |
| Clock Cycle Time | — | 3.5 ns |
| Core Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | — | 0.6 V (LPDDR4X) |
| Technology | — | LPDDR4X LPDRAM |
| Speed Grade | — | -046 (2133 MHz class) |
| Temperature Grade (WT suffix) | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range for WT grade] |
| Package Dimensions | — | 10 mm x 14.5 mm |
| Low Power Modes | — | Self-refresh, deep power-down, DPD |