H5CG46MEBDX017N vs H5CG44MEBDX014 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5CG46MEBDX017N 제조: SK hynix 및 H5CG44MEBDX014 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5CG46MEBDX017N H5CG46MEBDX017N - 16Gb DDR5 4800Mbps DRAM | SK hynix

H5CG46MEBDX017N - 16Gb DDR5 4800Mbps DRAM | SK hynix

H5CG46MEBDX017N ✓ 활성
SK hynix
H5CG44MEBDX014 H5CG44MEBDX014 - 16Gb DDR5-4800 x4 SDRAM | SK hynix

H5CG44MEBDX014 - 16Gb DDR5-4800 x4 SDRAM | SK hynix

H5CG44MEBDX014 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5CG46MEBDX017N H5CG44MEBDX014
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs DRAM
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $4.10 $3.12
메모리 유형 DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gbit —
메모리 구성 1G x 16 4G x 4
데이터 속도 4800 Mbps/pin 4800 MT/s (DDR5-4800)
Speed Grade DDR5-4800 —
VDD Supply Voltage 1.1 V —
VDDQ Supply Voltage 1.1 V —
인터페이스 유형 DDR5 (synchronous, double data rate) Parallel, DDR5
Package Type FCBGA (flip-chip ball grid array) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
On-Die ECC Yes (DDR5 standard feature) Yes (DDR5 standard feature)
Bank Groups DDR5 architecture (8 bank groups) —
Part Family H5CG46 series —
Manufacturer Status MP (mass production) —
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
메모리 크기 — 16 Gb
Clock Frequency — 2400 MHz
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
패키지 — 78-ball FBGA
Process Node / Die — 1st-generation M-die (1z-class)
Memory Configuration — DRAM component (not module)
Applications — Server, client, embedded, industrial computing
동작 온도 범위 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

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