H5CG48AGBDX014N vs H5CG48MEBDX014N 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5CG48AGBDX014N 제조: SK hynix 및 H5CG48MEBDX014N 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5CG48AGBDX014N | H5CG48MEBDX014N |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $70.00 | $41.68 |
| Manufacturer | SK Hynix | — |
| Product Type | DDR5 SDRAM | — |
| Density | 16 Gb (2G x 8) | 16 Gbit |
| 메모리 구성 | x8 (2G x 8) | 2G x 8 |
| Memory Family | DDR5 (H5CG A-die generation) | — |
| 데이터 속도 | [DATA_NEEDED: data rate in Mbps for 014 speed grade (018N sibling: 5600 Mbps)] | 4800 Mbps |
| Supply Voltage Class | [DATA_NEEDED: VDD per datasheet (DDR5 class 1.1 V)] | — |
| 패키지 | 78-ball FBGA | FBGA-82 (11 x 10 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 인터페이스 | DDR5, 2 independent 8-bit sub-channels | — |
| ECC | On-die ECC (ODE) | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Bank Groups | 8 (DDR5 architecture) | — |
| RoHS 상태 | unknown | Compliant |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| 수명 주기 상태 | Active | — |
| 메모리 유형 | — | DDR5 SDRAM |
| 공급 전압 | — | 1.1 V |
| Row Address | — | 12 bits |
| Column Address | — | 9 bits |
| Die Generation | — | M-die |
| 인터페이스 유형 | — | Parallel, DDR5 |
| Memory Class | — | Synchronous DRAM |
| Speed Class | — | DDR5-4800 (PC5) |