H5CG48MEBDX018N vs H5CG44MEBDX014N 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5CG48MEBDX018N 제조: SK hynix 및 H5CG44MEBDX014N 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5CG48MEBDX018N H5CG48MEBDX018N - DDR5 16Gb SDRAM FCBGA | SK Hynix

H5CG48MEBDX018N - DDR5 16Gb SDRAM FCBGA | SK Hynix

H5CG48MEBDX018N ✓ 활성
SK hynix
H5CG44MEBDX014N H5CG44MEBDX014N - 16Gb DDR5-4800 SDRAM x4 | SK hynix

H5CG44MEBDX014N - 16Gb DDR5-4800 SDRAM x4 | SK hynix

H5CG44MEBDX014N ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5CG48MEBDX018N H5CG44MEBDX014N
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs DRAM
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.00 $0.00
메모리 유형 DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16Gb (2G x 8) 16 Gb
메모리 구성 2G x 8 4G x4
Bus Width 8 bit —
공급 전압 1.1 V —
데이터 속도 [DATA_NEEDED: Data Rate (Mbps)] 4800 Mbps/pin (DDR5-4800)
패키지 78-ball FCBGA 78-ball FBGA
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Die Generation M-die (family: A-die and M-die variants exist) 1st-gen DDR5 M-die
동작 온도 0C to +95C (LCSC listing for M-die family part) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
인터페이스 유형 DDR5 parallel —
On-Die ECC Yes (DDR5 standard feature) —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Packaging [DATA_NEEDED: Packing Type] —
Clock Frequency — 2400 MHz
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
인터페이스 — JEDEC DDR5
CAS 레이턴시 — [DATA_NEEDED: CL at DDR5-4800]
VDDQ Voltage — [DATA_NEEDED: VDDQ voltage]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh scheme detail]
Packaging Type — [DATA_NEEDED: tape and reel or tray]

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