H5TC4G63AFR-PBJ vs MT41K256M16RE-125:D 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5TC4G63AFR-PBJ 제조: SK hynix 및 MT41K256M16RE-125:D 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5TC4G63AFR-PBJ | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $7.50 | $4.19 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gb (256M x 16) | — |
| 공급 전압 | 1.35 V | 1.35 V |
| 패키지 | 96-ball TFBGA | FBGA-96 (9x14 mm) |
| Temperature Grade | Industrial (-40°C to +95°C) | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Package Shape | Rectangular | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| 데이터 속도 | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)] | 1600 MT/s |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 11 |
| Access Time | 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet) | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | — |
| Density | — | 4 Gb |
| 메모리 구성 | — | 256M x 16 |
| 동작 온도 | — | 0C to +95C (TC) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |