H5TC4G63MFR-PBA vs H5TC4G63CFR-PBA 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5TC4G63MFR-PBA 제조: SK hynix 및 H5TC4G63CFR-PBA 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5TC4G63MFR-PBA | H5TC4G63CFR-PBA |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.50 | $6.23 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (+0.100V/-0.067V) | 1.35V +0.100/-0.067V |
| 데이터 속도 | 1866 Mbps (PC3L-14900) | — |
| 패키지 | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | BL8, BL4 (with burst chop) | — |
| CAS Latency (CL) | Programmable | — |
| CAS Write Latency (CWL) | Programmable | — |
| Additive Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | Yes | — |
| Process Technology | 30nm-class | — |
| RoHS Compliant | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| Clock Input | — | Fully differential (CK, CK) |
| Data Strobe | — | Differential (DQS, DQS) |
| On-chip DLL | — | Yes |
| Data Mask (DM) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |