IAUA180N04S5N012AUMA1 vs IAUC120N04S6N009ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUA180N04S5N012AUMA1 제조: Infineon 및 IAUC120N04S6N009ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

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IAUA180N04S5N012AUMA1 IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUA180N04S5N012AUMA1 IAUC120N04S6N009ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.96 $1.60
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUA180N04S5N012AUMA1 —
Series OptiMOS-5 40 V —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 180 A (Tc) —
Maximum Power Dissipation (PD) 125 W (Tc) —
R_DS(on) (max) 1.2 mΩ at 10 V VGS —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
패키지 PG-HSOF-5-2 (sTOLL, MO-319A / HSOF-5), 7x8 mm² PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -55 °C to +175 °C (Tj) —
Technology OptiMOS-5 Trench —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
RoHS 상태 Compliant —
Part Family — OptiMOS 6 40V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 120 A
펄스 드레인 전류 — [DATA_NEEDED: pulsed I_D value]
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 0.9 mΩ
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Total Gate Charge Q_g typ — [DATA_NEEDED: Q_g typical]
Power Dissipation (Tc) — 150 W
Thermal Resistance R_thJC max — 1.0 K/W
동작 접합 온도 — -55 °C to +175 °C
MSL 레벨 — 1
RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per Infineon product page)

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