IAUA180N04S5N012AUMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUA180N04S5N012AUMA1 제조: Infineon 및 IAUC60N04S6L030HATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IAUA180N04S5N012AUMA1 IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 ✓ 활성
Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUA180N04S5N012AUMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.96 $0.94
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUA180N04S5N012AUMA1 —
Series OptiMOS-5 40 V —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 180 A (Tc) —
Maximum Power Dissipation (PD) 125 W (Tc) —
R_DS(on) (max) 1.2 mΩ at 10 V VGS —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
패키지 PG-HSOF-5-2 (sTOLL, MO-319A / HSOF-5), 7x8 mm² PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -55 °C to +175 °C (Tj) —
Technology OptiMOS-5 Trench —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (per part number suffix)
RoHS 상태 Compliant Compliant
Part Series — OptiMOS 6
Configuration — Half-Bridge (2 N-Channel)
Continuous Drain Current (ID) at TJ — 60 A
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V — 3.0 mOhm (typical)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 35 nC
Output Capacitance (Coss) — 2.128 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 596 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V
Maximum Power Dissipation (PD) at TC — 75 W
동작 접합 온도 — -55 C to +175 C
MSL 레벨 — 1 (per JEDEC J-STD-020)

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청