IAUC120N04S6N009ATMA1 vs IAUA120N04S5N014AUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUC120N04S6N009ATMA1 제조: Infineon 및 IAUA120N04S5N014AUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IAUC120N04S6N009ATMA1 IAUA120N04S5N014AUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.60 $2.18
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 40V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 120 A —
펄스 드레인 전류 [DATA_NEEDED: pulsed I_D value] —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 0.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Total Gate Charge Q_g typ [DATA_NEEDED: Q_g typical] —
Power Dissipation (Tc) 150 W —
Thermal Resistance R_thJC max 1.0 K/W —
동작 접합 온도 -55 °C to +175 °C —
패키지 PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) PG-HSOF-5-2 (sTOLL)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
MSL 레벨 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per Infineon product page) —
Part Number — IAUA120N04S5N014AUMA1
Series — OptiMOS™ 5
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) — 40 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) @ T<sub>C</sub>=25°C — 120 A
R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10 V — 1.4 mΩ
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) @ T<sub>C</sub>=25°C — 136 W
동작 온도 범위 — -55°C to +175°C [DATA_NEEDED: confirmed min/max from datasheet]
핀 수 — 5 + Tab (6 effective)
Gate Drive — Enhancement Mode
RoHS 상태 — Compliant
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

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