IAUC120N06S5L032ATMA1 vs IAUC120N04S6L009ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUC120N06S5L032ATMA1 제조: Infineon 및 IAUC120N04S6L009ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1 IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L032ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUC120N06S5L032ATMA1 IAUC120N04S6L009ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.82 $1.65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 (60 V) OptiMOS-6 40V
트랜지스터 유형 N-Channel, Enhancement Mode N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (V_DS) 60 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_j) 120 A —
R_DS(on) Max (V_GS = 10 V) 3.2 mOhm —
Power Dissipation (P_D, T_C = 25 C) 94 W —
패키지 PG-TDSON-8-34 (5x6 mm) PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless, SS08)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -55 C to +175 C (T_j) —
Technology OptiMOS 5 Trench —
AEC-Q101 Qualified Yes —
RoHS 상태 Compliant Compliant
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Gate Threshold Voltage V_GS(th) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] —
Total Gate Charge Q_G [DATA_NEEDED: Q_G total at V_GS=10V] —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 40 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 150 A (per datasheet header)
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=100°C) — [DATA_NEEDED: I_D at TC=100C]
Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) — [DATA_NEEDED: pulsed I_DM]
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V — 0.9 mΩ
R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate-Source Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Gate Charge Q<sub>g</sub> — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation P<sub>D</sub> (T<sub>C</sub>=25°C) — 150 W
동작 접합 온도 — -55 °C to +175 °C
핀 수 — 8
AEC-Q101 Automotive Qualification — Yes
Avalanche Energy E<sub>AS</sub> — [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy]

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