IAUC120N06S5N022ATMA1 vs IAUC120N04S6N009ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUC120N06S5N022ATMA1 제조: Infineon 및 IAUC120N04S6N009ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IAUC120N06S5N022ATMA1 IAUC120N06S5N022ATMA1 - 60V, 2.2mΩ OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5N022ATMA1 - 60V, 2.2mΩ OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5N022ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUC120N06S5N022ATMA1 IAUC120N04S6N009ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.68 $1.60
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) 170 A (Tj) —
On-Resistance RDS(on) max 2.2 mΩ at VGS=10 V —
Power Dissipation (PD) 136 W (Tc) —
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: TJ min/max] —
패키지 PG-TDSON-8-34 (TDSON EP 5x6) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS-5 trench —
Channel Type N-Channel —
핀 수 8 (with exposed pad) —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
RoHS 상태 Compliant —
할로겐 프리 Yes (per Infineon product family convention) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
RDS(on) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @4.5V] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 6 40V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 120 A
펄스 드레인 전류 — [DATA_NEEDED: pulsed I_D value]
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 0.9 mΩ
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Total Gate Charge Q_g typ — [DATA_NEEDED: Q_g typical]
Power Dissipation (Tc) — 150 W
Thermal Resistance R_thJC max — 1.0 K/W
동작 접합 온도 — -55 °C to +175 °C
MSL 레벨 — 1
RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per Infineon product page)

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