IAUCN04S7L006ATMA1 vs IAUC60N06S5L073ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUCN04S7L006ATMA1 제조: Infineon 및 IAUC60N06S5L073ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

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IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 ✓ 활성
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IAUC60N06S5L073ATMA1 IAUC60N06S5L073ATMA1 - 60V 60A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC60N06S5L073ATMA1 - 60V 60A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC60N06S5L073ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUCN04S7L006ATMA1 IAUC60N06S5L073ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.38 $0.41
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 175 A —
R_DS(on) Max 0.6 mΩ at V_GS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
동작 온도 범위 -55 °C to +175 °C -55C to +175C
패키지 PG-TDSON-8-43 PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS-7 trench Trench (OptiMOS 5)
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
핀 수 8 —
Packaging Tape and Reel (ATMA1) —
Polarity Single N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 60 A
On-Resistance RDS(on) max — 7.3 mΩ
Total Gate Charge (QG) — 17.4 nC
Power Dissipation (PD) at Tc — 52 W
핀 수 — 8
Configuration — Single N-Channel
Qualification — AEC-Q101 automotive grade
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: MSL level]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Thermal Resistance RθJA — [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-ambient]

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