IAUCN04S7L019ATMA1 vs IAUC120N04S6L005ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUCN04S7L019ATMA1 제조: Infineon 및 IAUC120N04S6L005ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IAUCN04S7L019ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.48 $0.92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ 7 —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 40 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 120 A —
R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10V 1.91 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max value] —
Gate Charge (Q<sub>g</sub>) [DATA_NEEDED: Qg total/nominal value] —
패키지 PG-TDSON-8-33 PG-TDSON-8-53 (5x6 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 -55°C to +175°C (junction) —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) [DATA_NEEDED: Pd max at 25C] —
열 저항, 접합-주변 [DATA_NEEDED: RthJA value] —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
RoHS 상태 Compliant Compliant
MSL 레벨 1 —
Packaging Tape & Reel (13-inch reel) —
Standard Pack Quantity 5000 pieces —
Ordering Code Suffix ATMA1 (Tape & Reel 13") —
Part Number — IAUC120N04S6L005ATMA1
Technology — OptiMOS 6, N-Channel Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 120 A (Tj)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulse rating]
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 187 W
RDS(on) max at VGS=10 V — 0.55 mΩ at 60 A
RDS(on) max at VGS=4.5 V — 0.85 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V
Total Gate Charge (Qg) — 177 nC at VGS=10 V
Input Capacitance (Ciss) — 11.203 nF at 25 V
Output Capacitance (Coss) — 2.982 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 175 pF
동작 접합 온도 — -55 °C to +175 °C

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