IAUCN04S7N027GATMA1 vs IAUCN04S7L009ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IAUCN04S7N027GATMA1 제조: Infineon 및 IAUCN04S7L009ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IAUCN04S7N027GATMA1 | IAUCN04S7L009ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.72 | $0.96 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vds max) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | 117 A | — |
| On-Resistance (Rds(on) max) | 2.67 mOhm | — |
| Power Dissipation (Pd) | 70 W (Tc) | — |
| 패키지 / 케이스 | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive | — |
| 동작 온도 범위 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| Gate-Source Voltage Max (Vgs) | [DATA_NEEDED: Vgs max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL] | 1 |
| Substrate Compatibility | IMS substrates and legacy FR-4 | — |
| Part Number | — | IAUCN04S7L009ATMA1 |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | OptiMOS™ 7 (trench-gate) |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id, Tc=25°C) | — | 275 A (Tj) |
| Continuous Drain Current (Id, Tc=100°C) | — | 175 A |
| Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) | — | 129 W |
| Rds(on) Max @ Vgs=10V | — | 0.91 mΩ |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| 패키지 | — | PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |