IAUCN08S7N024ATMA1 vs IAUCN08S7N034ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUCN08S7N024ATMA1 제조: Infineon 및 IAUCN08S7N034ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IAUCN08S7N024ATMA1 IAUCN08S7N034ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.89 $1.48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series Automotive OptiMOS 7 (80 V) OptiMOS™ 7
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 165 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 2.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Technology OptiMOS 7 trench —
패키지 PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad) PG-TDSON-8-34 (TDSON EP)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -55C to +175C (typical automotive) —
전력 손실 (Ptot) [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C] —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
RoHS Compliance Compliant —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL 1 (unlimited floor life)
Typical Application 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch —
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 80 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 120 A
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V — 3.4 mΩ
Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) — 3.2 V (typ)
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) — 45.8 nC @ V<sub>GS</sub>=10 V
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) — 1.27 nF
Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) — 3.115 nF
Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) — 23 pF
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 118 W
동작 접합 온도 — -55°C to +175°C
RoHS 상태 — Compliant

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