IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUCN10S5L280DATMA1 제조: Infineon 및 IAUC120N06S5L015ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUCN10S5L280DATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.62 $0.92
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
패키지 PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-TDSON-8-43 (Surface Mount)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount (exposed pad)
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) —
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET N-Channel MOSFET (OptiMOS 5)
동작 온도 범위 -55C to +175C (junction) -55C to +175C (Tj)
핀 수 8 —
MSL 레벨 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS 상태 Compliant Compliant
Packing Tape & Reel (T&R) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 235 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) — 1.5 mΩ
Gate Charge (Qg, typ) — 88 nC
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 167 W
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Drain-Source On-State Resistance Test Conditions — VGS = 10 V, ID = 50 A
Typical Application — Automotive DC-DC, battery switches, motor drives

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