IAUT300N08S5N011ATMA1 vs IAUS300N08S5N011TATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUT300N08S5N011ATMA1 제조: Infineon 및 IAUS300N08S5N011TATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IAUT300N08S5N011ATMA1 IAUT300N08S5N011ATMA1 - 80V N-Ch 1.1mOhm Automotive MOSFET

IAUT300N08S5N011ATMA1 - 80V N-Ch 1.1mOhm Automotive MOSFET

IAUT300N08S5N011ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUT300N08S5N011ATMA1 IAUS300N08S5N011TATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $5.40 $2.65
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 5 (trench MOSFET) OptiMOS-5 (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (V_DS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) 300 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 410 A (Tj) —
R_DS(on) max 1.10 mOhm at V_GS=10 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.8 V 3 V (max)
Total Gate Charge (Q_g) 231 nC at V_GS=10 V —
Input Capacitance (C_iss) 16.25 nF —
Output Capacitance (C_oss) 2.6 nF —
Reverse Transfer Capacitance (C_rss) 130 pF —
Power Dissipation (P_D) 375 W at T_C=25C —
동작 온도 범위 -55C to +175C -55 C to +175 C (Tj)
패키지 PG-HSOF-8-1 (TOLL 10x12 mm) PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 1 —
Qualification Automotive (AEC-Q101) —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) — 300 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 375 W
R_DS(on) Max @ V_GS=10V — 1.1 mOhm
Total Gate Charge (Q_G) @ 10V — 231 nC
Output Capacitance (C_OSS) — 130 pF (typ)
Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) — 16.25 nF (typ)
Number of Channels — 1
RoHS 상태 — Compliant
Automotive Qualified — Yes (Infineon automotive part)

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