IAUZ40N06S5L050ATMA1 vs BSC036NE7NS3GATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUZ40N06S5L050ATMA1 제조: Infineon 및 BSC036NE7NS3GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IAUZ40N06S5L050ATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.71 $0.82
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 60 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) [DATA_NEEDED: continuous drain current at Tc=25C] —
Drain Current at T<sub>j</sub> 90 A —
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10V 5 mΩ —
R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=10V, I<sub>D</sub>=20A 6.4 mΩ —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> 2.2 V at 29 µA —
Total Gate Charge Q<sub>G</sub> 28.2 nC —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 71 W —
동작 접합 온도 -55 °C to +175 °C —
패키지 PG-TSDSON-8-33 (TSDSON-8) PG-TDSON-8-7 (5x6 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (super-junction N-channel) —
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
RoHS 상태 Compliant ROHS3 Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 400 A
On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) — 3.6 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 2.6 V
Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) — 45 nC
Rise Time (tr typ) — 13 ns
Fall Time (tf typ) — 11 ns
Power Dissipation (PD max, Tc=25C) — 156 W
Power Dissipation (Ta=25C) — 2.5 W
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 0.8 C/W
동작 온도 범위 — -55C to +175C
MSL 레벨 — 1

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