IAUZ40N06S5L050ATMA1 vs BSC146N10LS5ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUZ40N06S5L050ATMA1 제조: Infineon 및 BSC146N10LS5ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSC146N10LS5ATMA1 BSC146N10LS5ATMA1 - 100V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC146N10LS5ATMA1 - 100V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC146N10LS5ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUZ40N06S5L050ATMA1 BSC146N10LS5ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.71 $0.74
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 60 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) [DATA_NEEDED: continuous drain current at Tc=25C] —
Drain Current at T<sub>j</sub> 90 A —
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10V 5 mΩ —
R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=10V, I<sub>D</sub>=20A 6.4 mΩ —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> 2.2 V at 29 µA —
Total Gate Charge Q<sub>G</sub> 28.2 nC —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 71 W —
동작 접합 온도 -55 °C to +175 °C —
패키지 PG-TSDSON-8-33 (TSDSON-8) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (super-junction N-channel) OptiMOS 5 (logic-level)
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C — 44 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max at VGS=10 V — 14.6 mOhm
RDS(on) max at VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-level (typ. ~1.7 V)
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 52 W
동작 온도 범위 — -55 C to +150 C (TJ max)
MSL 레벨 — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS]

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청