IAUZ40N08S5N100ATMA1 vs IAUC64N08S5L075ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IAUZ40N08S5N100ATMA1 제조: Infineon 및 IAUC64N08S5L075ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Infineon
IAUC64N08S5L075ATMA1 - 80V 7.5mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon
IAUC64N08S5L075ATMA1 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | IAUZ40N08S5N100ATMA1 | IAUC64N08S5L075ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.71 | $0.58 |
| Technology | OptiMOS-5 N-Channel MOSFET | OptiMOS™ 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 68 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 10 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge Qg typ | 24.2 nC @ VGS=10 V | — |
| Input Capacitance Ciss | 1591 pF @ VDS=40 V | — |
| Gate-Source Voltage VGS max | ±20 V | — |
| 동작 온도 범위 | -55 °C to +175 °C (TJ) | — |
| 패키지 | PG-TDSON-8 (S3O8) 3.3 × 3.3 mm | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IAUC64N08S5L075ATMA1 |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 64 A (TJ-limited) |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 7.5 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute maximum] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 75 W |
| 동작 접합 온도 | — | -55 °C to +175 °C |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| 핀 수 | — | 8 |