IPB60R280P7ATMA1 vs IAUT300N08S5N014ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPB60R280P7ATMA1 제조: Infineon 및 IAUT300N08S5N014ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPB60R280P7ATMA1 | IAUT300N08S5N014ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.88 | $3.05 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolMOS P7 (600 V) | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Superjunction (SJ) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | 12 A | — |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | 280 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | 3.5 V | — |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | 53 W | — |
| 패키지 | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-HSOF-8-1 (8-pin + tab, Surface Mount) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 핀 수 | 3 (2 + Tab) | — |
| 동작 온도 범위 | -55 °C to +150 °C (T_j max) | — |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Generation | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) | — |
| FET Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 300 A (DC) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V (typ) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | — | 1.4 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max] |
| Power Dissipation PD @ TC=25°C | — | 300 W |
| 동작 접합 온도 | — | -55 °C to +175 °C |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | MSL1 (unlimited floor life at ≤30 °C / 85 % RH) |
| Peak Reflow Temperature | — | 260 °C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Avalanche Tested | — | 100 % (per Infineon datasheet) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Green Product) |
| Technology Family | — | OptiMOS 5 (Infineon) |